當(dāng)陶瓷電容器中的銀離子存在遷移現(xiàn)象會(huì)對(duì)電容存在哪些問(wèn)題?
發(fā)布時(shí)間: 2022-01-25
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大多數(shù)無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器使用銀電極。當(dāng)部分密封貼片電容器在高溫環(huán)境下工作時(shí),滲入電容器的水會(huì)產(chǎn)生電解化學(xué)反應(yīng)(陽(yáng)極發(fā)生氧化反應(yīng)銀離子與羥基離子結(jié)合形成氫氧化銀,陰極發(fā)生還原反應(yīng))由于電極反應(yīng),氫氧化銀與氫離子反應(yīng)生成銀和水,陽(yáng)極的銀離子不斷還原為不連續(xù)的金屬銀顆粒,銀離子遷移不止發(fā)生在無(wú)機(jī)介質(zhì)的表面也會(huì)擴(kuò)散到無(wú)機(jī)介質(zhì)的內(nèi)部導(dǎo)致泄漏電流的增加。在嚴(yán)重情況下,它可能會(huì)在兩個(gè)銀電極之間完全短路,導(dǎo)致電容器擊穿
當(dāng)銀離子遷移嚴(yán)重時(shí),由于無(wú)機(jī)介電電容器兩電極之間的介電表面上存在氧化銀半導(dǎo)體,隨著正極有效面積的減小,電容器的電容會(huì)減小,表面絕緣電阻也會(huì)減小,在兩個(gè)電極之間建立了樹(shù)枝狀銀橋,這大大降低了電容器的絕緣電阻
總之,銀離子遷移不僅會(huì)惡化非密封無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器的電氣性能,還會(huì)降低介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng),最終導(dǎo)致電容器擊穿
值得一提的是,銀離子遷移引起的銀電極低頻陶瓷整體式電容器的失效比其他類型的陶瓷電容器嚴(yán)重得多,由于該電容器在銀電極和陶瓷介質(zhì)一次燒結(jié)過(guò)程中的一次燒成過(guò)程和多層疊層結(jié)構(gòu),銀參與了陶瓷介質(zhì)表面的固態(tài)反應(yīng),如果陶瓷介質(zhì)不夠致密,則銀離子會(huì)滲入陶瓷-銀接觸層并形成界面層,水滲透后,銀離子不僅會(huì)在陶瓷介質(zhì)表面發(fā)生遷移,而且會(huì)通過(guò)陶瓷介質(zhì)層在多層疊層結(jié)構(gòu)中有許多間隙,電極位置不易精確,電介質(zhì)表面留下的邊緣很小。當(dāng)在疊層的兩邊涂上外電極,有可能銀漿誤入間隙,這將降低了電解質(zhì)表面的絕緣電阻性,縮短了電極之間的路徑,如果銀離子存在遷移極容易出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。
銀離子遷移會(huì)嚴(yán)重?fù)p壞正極表面的銀層。氧化銀存在鉛焊點(diǎn)和電極表面的銀層之間存在具有半導(dǎo)體性質(zhì),這無(wú)疑增加無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻,加大了金屬部分的損耗,并顯著增加了電容器的損耗角正切
當(dāng)銀離子遷移嚴(yán)重時(shí),由于無(wú)機(jī)介電電容器兩電極之間的介電表面上存在氧化銀半導(dǎo)體,隨著正極有效面積的減小,電容器的電容會(huì)減小,表面絕緣電阻也會(huì)減小,在兩個(gè)電極之間建立了樹(shù)枝狀銀橋,這大大降低了電容器的絕緣電阻
總之,銀離子遷移不僅會(huì)惡化非密封無(wú)機(jī)介質(zhì)電容器的電氣性能,還會(huì)降低介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng),最終導(dǎo)致電容器擊穿
值得一提的是,銀離子遷移引起的銀電極低頻陶瓷整體式電容器的失效比其他類型的陶瓷電容器嚴(yán)重得多,由于該電容器在銀電極和陶瓷介質(zhì)一次燒結(jié)過(guò)程中的一次燒成過(guò)程和多層疊層結(jié)構(gòu),銀參與了陶瓷介質(zhì)表面的固態(tài)反應(yīng),如果陶瓷介質(zhì)不夠致密,則銀離子會(huì)滲入陶瓷-銀接觸層并形成界面層,水滲透后,銀離子不僅會(huì)在陶瓷介質(zhì)表面發(fā)生遷移,而且會(huì)通過(guò)陶瓷介質(zhì)層在多層疊層結(jié)構(gòu)中有許多間隙,電極位置不易精確,電介質(zhì)表面留下的邊緣很小。當(dāng)在疊層的兩邊涂上外電極,有可能銀漿誤入間隙,這將降低了電解質(zhì)表面的絕緣電阻性,縮短了電極之間的路徑,如果銀離子存在遷移極容易出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。
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